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第三代半导体概念崛起,国产替代趋势下相关厂商迎较好发展机遇

热板块

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06-16 11:56
第三代半导体板块持续拉升,在5G基建、5G终端射频和新能源车等多重推动,以及化合物半导体的国产替代趋势下,未来成长空间广阔,相关厂商有望迎来较好的发展机遇。

6月16日,第三代半导体板块持续拉升,截至发稿,聚灿光电、金溢科技、华微电子等多股涨停,华灿光电、捷捷微电、斯达半岛等纷纷跟涨。

以碳化硅为代表的第三代半导体材料,被誉为继硅材料之后最有前景的半导体材料之一,与硅材料相比,以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。

据媒体报道,全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨价通知。

华创证券认为,目前市场对二三极管、晶体管、低中高压MOSFET、IGBT等功率半导体产品的需求依然很旺盛,部分进口产品的交期长达52周,国产产品的交期长达三个月。功率半导体市场缺口最大的是有一定技术门槛的产品,在此情况下,行业高景气周期将持续。

中银证券指出,继“十二五”、“十三五”后,碳化硅半导体再次被列入“十四五”规划中的重点支持领域。碳化硅半导体作为国家战略性行业将迎来高速发展,以天岳先进、天科合达等在碳化硅领域已经取得突破的企业也将率先享受行业红利。

东莞证券表示,与前两代半导体相比,以GaN、GaAs为代表的第三代化合物半导体物理特性优势明显,下游应用广泛,在5G基建、5G终端射频和新能源车等多重推动,以及化合物半导体的国产替代趋势下,未来成长空间广阔,相关厂商有望迎来较好的发展机遇。

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